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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
64
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,869.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,477.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,869.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
697
2846
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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