RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
69
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.5
1,869.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
69
Vitesse de lecture, GB/s
4,477.7
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,869.1
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
697
1598
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link