RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
50
Autour de -194% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
17
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
3863
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link