RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
50
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
3365
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link