RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
50
Autour de -19% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
42
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
2597
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link