RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Comparez
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
60
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
46
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2359
2973
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link