RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Comparez
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
60
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
46
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2359
2973
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link