RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
60
Autour de -82% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR5
Latence dans PassMark, ns
60
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2359
2812
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link