Comparaison de la RAM Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Note globale

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.7 10.3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 8.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2767 2327

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns