RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
46
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
46
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2767
2660
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link