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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2767
3343
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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