RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Comparez
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
66
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
66
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2660
2429
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link