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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Comparez
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2848
2320
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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