RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Comparez
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.5
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
2638
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link