RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Comparez
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB vs Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Note globale
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Note globale
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
53
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
53
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2863
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link