RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
24
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
19
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
3681
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link