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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB vs Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
37
40
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.4
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
12800
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
1806
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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