RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
66
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
66
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2264
2429
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link