RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
41
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
41
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2087
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link