RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
38
Autour de -6% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2281
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link