RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3527
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link