RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
38
Autour de -90% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
20
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3619
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link