RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2956
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link