RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
38
Autour de -52% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2364
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link