RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3731
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link