RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
38
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2942
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link