RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de -58% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2744
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link