RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2509
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link