RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2664
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link