RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2875
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link