RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de -58% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
1845
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link