RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2263
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link