RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2797
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link