RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
38
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
21
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3512
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link