RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
40
Autour de 5% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2965
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link