RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
40
Autour de 5% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2965
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link