RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2947
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link