RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
38
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3074
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link