RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2815
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link