RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3025
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link