RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
76
Autour de 50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
76
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
1453
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link