RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de -65% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2320
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link