RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3372
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link