RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
34
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2468
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link