RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3501
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link