RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2296
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link