RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2950
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link