RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2890
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link