RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
46
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2034
2973
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link