RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Comparez
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Note globale
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
43
Autour de -2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2034
3126
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link