RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
60
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
60
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2590
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link