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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
45
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2942
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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